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Théorie des contacts n+-ν(p+-π) sur semiconducteurs compensésGREJSUKH, A. M; TSYRLIN, L. EH.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1984, Vol 18, Num 3, pp 398-401, issn 0015-3222Article

Le problème de l'injection d'un courant électrique dans un métal liquideYAVOJSKIJ, V. I; POVKH, I. L; KHANOV, V. K et al.Magnitnaâ gidrodinamika. 1984, Num 1, pp 139-140, issn 0025-0015Article

Non-linear stability bounds in electrohydrodynamicsRICHARDSON, A. T.Journal of electrostatics. 1984, Vol 15, Num 3, pp 343-349, issn 0304-3886Conference Paper

Double injection in solids with non-ohmic contacts. II: Solids with defectsKAO, K. C.Journal of physics. D, Applied physics (Print). 1984, Vol 17, Num 7, pp 1449-1467, issn 0022-3727Article

Influence d'un flux hors d'équilibre de quasi-particules sur les propriétés de jonctions Josephson supraconducteur-métal normal-supraconducteurKAPLUNENKO, V. K; RYAZANOV, V. V; SHMIDT, V. V et al.ZETF. Pis′ma v redakciû. 1985, Vol 89, Num 4, pp 1389-1403, issn 0044-4510Article

Détermination des paramètres électrophysiques des domaines fortement dopés des structures p+-n-n+ à partir des valeurs des coefficients d'injection des jonctions émettricesGRIGOR'EV, B. I; TOGATOV, V. V.Radiotehnika i èlektronika. 1984, Vol 29, Num 9, pp 1810-1813, issn 0033-8494Article

Propriétés photoélectriques de structures p+-ν-π-n+ épitaxiques d'arséniure de galliumVORONIN, S. T; KRAVCHENKO, A. F; SHERSTYAKOV, A. P et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1989, Vol 23, Num 5, pp 787-791, issn 0015-3222Article

Charge injection into SiO₂ films at fields between 1 and 3 MV cm^-1 after electrical stressKRAUSE, H; BÄR, H.-P.Physica status solidi. A. Applied research. 1988, Vol 110, Num 2, pp 537-547, issn 0031-8965Article

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DOUBLE INJECTION DANS UN SEMICONDUCTEUR COMPENSE PAR DES ACCEPTEURS PROFONDS DISPOSES DANS LA MOITIE INFERIEURE DE LA BANDE INTERDITEARUTYUNYAN VM.1974; IZVEST. AKAD. NAUK ARM. S.S.R., FIZ.; S.S.S.R.; DA. 1974; VOL. 9; NO 4; PP. 316-321; ABS. ARM. ANGL.; BIBL. 8 REF.Article

INJECTED-CARRIER INDUCED REFRACTIVE-INDEX CHANGE IN SEMICONDUCTOR LASERSOLSSON A; TANG CL.1981; APPL. PHYS. LETT.; ISSN 0003-6951; USA; DA. 1981; VOL. 39; NO 1; PP. 24-26; BIBL. 10 REF.Article

INJECTION EN VOLUME D'ELECTRONS DE GRANDE ENERGIE DANS LES DIELECTRIQUESEVDOKIMOV OB.1976; IZVEST. VYSSH. UCHEBN. ZAVED., FIZ.; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 19; NO 3; PP. 7-12; BIBL. 2 REF.Article

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NOISE IN SINGLE INJECTION DIODES. I. A SURVEY OF METHODS.VAN VLIET KM; FRIEDMANN A; ZIJLSTRA RJ et al.1975; J. APPL. PHYS.; U.S.A.; DA. 1975; VOL. 46; NO 4; PP. 1804-1813; BIBL. 42 REF.Article

New solution to the problem of bipolar injection in insulator and semiconductor devicesSWISTACZ, B.Archiv für Elektrotechnik (Berlin). 1995, Vol 78, Num 3, pp 189-194, issn 0003-9039Article

Bipolar transistor base bandgap grading for minimum delayMCGREGOR, J. M; MANKU, T; ROULSTON, D. J et al.Solid-state electronics. 1991, Vol 34, Num 4, pp 421-422, issn 0038-1101, 2 p.Article

Open circuit voltage decay in p-n junction diodes at high levels of injectionJAIN, S. J; RAY, U. C; MURALIDHARAN, R et al.Solid-state electronics. 1986, Vol 29, Num 5, pp 561-570, issn 0038-1101Article

Caractéristiques courant-tension de structures à largeur de bande interdite variable avec double injectionARUTYUNYAN, V. M; DARBASYAN, A. T.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1986, Vol 20, Num 5, pp 864-868, issn 0015-3222Article

Role of EHD motion in the electrical conduction of liquids in a blade-plane geometryHAIDARA, M; ATTEN, P.IEEE transactions on industry applications. 1985, Vol 21, Num 3, pp 709-714, issn 0093-9994Article